Vatulian
80+ Bronze
- Katılım
- 13 Nisan 2021
- Mesajlar
- 1,490
Dahası
- Reaksiyon skoru
- 827
- İsim
- Ege ÖZTABAK
Samsung, Hot Chips 33'te şirketin ilk DDR5-7200 512GB bellek modülünü geliştirdiğini duyurdu. DDR4'e kıyasla Samsung'un DDR5-7400 bellek modülü, yalnızca 1,1V'de iki kat kapasiteyle %40 daha yüksek performans sunacak.
Şirket, DDR5-7200 bellek modülünü, TSV teknolojisiyle birbirine bağlanan sekiz DDR5 kalıplarıyla oluşturdu. Bu, daha önce dört DDR4 kalıbıyla sınırlı olan DDR4'e göre çok büyük bir gelişme. Daha yoğun bir tasarıma rağmen, DDR5 yığını, DDR4'ün 1.2 mm'sine kıyasla 1.0 mm'dir. "Wafer Processing" tekniklerini kullanan Samsung, kalıplar arasındaki boşlukları %40 oranında azaltarak, yığınlarda yüksekliği ciddi oranda azalttı.
Samsung'un sunumuna göre üretici, DDR5-7200 bellek modülü ile Same-Bank yenilemeyi (SBR) hayata geçirdi. Samsung, DRAM veriyolunda %10'a varan bir verimlilik artışı sağlamayı vadediyor. Şirket ayrıca, sinyal kararlılığını iyileştirmeye yardımcı olan yeni karar geri besleme ekolayzırına (DFE) da değindi.
DDR5-7200 bellek modülleri, DDR4 için voltajın yalnızca 0,92 katı olan 1,1 V'ta çalışması planlanıyor. Gelişmiş güç verimliliği, yüksek verimli güç yönetimi IC (PMIC), voltaj regülatörü ve High-K Metal Gate Process sayesinde mümkün oldu. Samsung, PMIC'inin yalnızca daha düşük voltaj çalışmasına katkıda bulunmakla kalmayıp, aynı zamanda süreçteki gürültüyü de azalttığını belirtti.
Sizler ne düşünüyorsunuz ? DDR4 RAM'lere göre daha verimli ve daha yüksek frekanslarda, gürültü seviyesi azaltılmış bir teknolojinin kısa sürede günümüze entegre olabileceğini ben düşünmüyorum. Ancak bu gibi çalışmalar yaygınlaştıkça hem ulaşılabilirliği hem de kullanılabilirliği artacaktır.
Kaynak;
www.anandtech.com
Şirket, DDR5-7200 bellek modülünü, TSV teknolojisiyle birbirine bağlanan sekiz DDR5 kalıplarıyla oluşturdu. Bu, daha önce dört DDR4 kalıbıyla sınırlı olan DDR4'e göre çok büyük bir gelişme. Daha yoğun bir tasarıma rağmen, DDR5 yığını, DDR4'ün 1.2 mm'sine kıyasla 1.0 mm'dir. "Wafer Processing" tekniklerini kullanan Samsung, kalıplar arasındaki boşlukları %40 oranında azaltarak, yığınlarda yüksekliği ciddi oranda azalttı.
Samsung'un sunumuna göre üretici, DDR5-7200 bellek modülü ile Same-Bank yenilemeyi (SBR) hayata geçirdi. Samsung, DRAM veriyolunda %10'a varan bir verimlilik artışı sağlamayı vadediyor. Şirket ayrıca, sinyal kararlılığını iyileştirmeye yardımcı olan yeni karar geri besleme ekolayzırına (DFE) da değindi.
DDR5-7200 bellek modülleri, DDR4 için voltajın yalnızca 0,92 katı olan 1,1 V'ta çalışması planlanıyor. Gelişmiş güç verimliliği, yüksek verimli güç yönetimi IC (PMIC), voltaj regülatörü ve High-K Metal Gate Process sayesinde mümkün oldu. Samsung, PMIC'inin yalnızca daha düşük voltaj çalışmasına katkıda bulunmakla kalmayıp, aynı zamanda süreçteki gürültüyü de azalttığını belirtti.
Sizler ne düşünüyorsunuz ? DDR4 RAM'lere göre daha verimli ve daha yüksek frekanslarda, gürültü seviyesi azaltılmış bir teknolojinin kısa sürede günümüze entegre olabileceğini ben düşünmüyorum. Ancak bu gibi çalışmalar yaygınlaştıkça hem ulaşılabilirliği hem de kullanılabilirliği artacaktır.
Kaynak;
Samsung Teases 512 GB DDR5-7200 Modules
https://semiconductor.samsung.com/dram/DDR/ddr5/
