- Katılım
- 27 Nisan 2021
- Mesajlar
- 2,478
- En İyi Cevap
- 3
- Reaksiyon skoru
- 1,506
SAMSUNG B DIE ÖRNEKLERİ
ALTTAKI DEĞERLER VOLTAJ İLE SCALE OLABİLEN DEĞERLERDİR. PARANTEZ İÇİNDE YAZDIKLARIM ZAMANLALARIN NEYE BAĞLI OLDUKLARI.
tCL
tRC
tRFC
tRCDRD
Voltaj ile scale olabilir
İdeal Samsung-B die çipine sahip ram zamanlamaları
3800CL
tCL 14
tRC 40
tRFC 220-260 arası
tRCDRD 14
tRCDWR = 8 olabiliyor bazı çiplerde ama bu voltaj ile scalelenmiyor tamamiyle bin ile alakalı.
Alt Degerlere gelirsek
tRP = CL neyse o değeri verin
tRAS = stabilite için tCL değeri x 2( ama daha fazla düşürebilenlerde var )
tRC = tRP + tRAS (tRC değeri voltaj ile scalendiği için daha fazla da düşürebilir ama çipten çipe değişir.)
tRDDS = Minimum 4 olabilir (bin + çip)
tRDDL = Minimum 4 olabilir (bin + çip)
tFAW = Minimum 16 olabilir (bin + çip) 4x tRDDL formülüyle
tWTRS = 3 iyi bi değer sayılabilir (bin + çip)
tWTRL = 6 iyi bir değer sayılabilir (bin + çip)
tWR = 12 en iyi değer ama stabilite sorunları yaşıyorsanız 16 yapın. (bin + çip)
tRDRDSCL = 4(bin + çip)
tWRWRSCL = 4(bin + çip)
tCWL = tCL değerinin -1 ya da -2 altı en iyi değer ama -2 cok zor o yüdzen genelde tCL ye eşit ya da tCL nin bi eksiği yapabilirsiniz. (bin + çip)
tRTP = 6 veya 8 en iyi değer sayılabilir (bin + çip)
tRDWR = 6 veya 8 en iyi değer sayılabilir (bin + çip)
tWRRD = 2x8 single rank ram kullanıyorsanız tWRRD değeri 1 olmalı. 4x8 single rank ram kullanıyorsanız tWRRD değeri 2 olmalı. (Ram rankı ve ram configi Örn : 2x8sr, 4x8sr)
tRDRDSC = 1
tRDRDSD = B die da bu değerlerin hepsini 1 e çekende var 4 yapanda var. (bin + çip)
tRDRDSD = B die da bu değerlerin hepsini 1 e çekende var 4 yapanda var. (bin + çip)
tWRWRSC = 1
tWRWRDD = B die da bu değerlerin hepsini 1 e çekende var 4 yapanda var. (bin + çip)
tWRWRSD = B die da bu değerlerin hepsini 1 e çekende var 4 yapanda var. (bin + çip)
B- Die ramlerde voltaj çok önemli 3800cl14 ve alt zamanlamalarını tamamiyle yapmak istiyorsanız en az 1.5 ve üstü bi voltaj vermenız gerekiyor.
B-Die örneği
MICRON REV.E DIE ÖRNEKLERİ
İdeal MICRON REV.E çipine sahip ram zamanlamaları
3800CL
Ne yazik ki sadece tCL ve frekans voltaj ile scale olabilir
tCL 14
tRDWR 8
tRP 12
tRAS 21
tRC 54
tRFC 545-565 arası
tRCDRD 18
Ballistix’de sadece 3600 CL 16 olan kit 3800’de 18 tRCDRD yapabiliyor. 3000 ve 3200 kitler 3800’de 19 veya 20 oluyor.
tRP = CL den daha düşük değer verebilirsiniz. Tamamen çip ve binle alakalı deneme yanılma yöntemi.
tRAS = normal kural CL değeri x 2 Ama micron Rev.E die da bu tamamiyle yalan. O yüzden düşürebilirsiniz değeri.tCL 14 ise tRAS 21 olabilir.Ya da 23.
tRC = Normal kuralı tRP + tRAS (Ama Rev E de tRC değeri voltaj ile scale olmadığı için 3800 de minimum 54 yapılabilir.)
tRDDS = Minimum 4 olabilir (bin + çip)
tRDDL = Minimum 4 olabilir (bin + çip)
tFAW = Minimum 16 olabilir (bin + çip) 4x tRDDL formülüyle
tWTRS = 3 iyi bi değer sayılabilir (bin + çip)
tWTRL = 6 iyi bir değer sayılabilir (bin + çip)
tWR = 12 en iyi değer ama stabilite sorunları yaşıyorsanız 16 yapın. (bin + çip)
tRDRDSCL = 4(bin + çip)
tWRWRSCL = 4(bin + çip)
tCWL = tCL değerinin -1 ya da -2 altı en iyi değer ama -2 cok zor o yüdzen genelde tCL ye eşit ya da tCL nin bi eksiği yapabilirsiniz. (bin + çip)
tRTP = 6 veya 8 en iyi değer sayılabilir (bin + çip)
tRDWR = 6 veya 8 en iyi değer sayılabilir (bin + çip)
tWRRD = 2x8 single rank ram kullanıyorsanız tWRRD değeri 1 olmalı. 4x8 single rank ram kullanıyorsanız tWRRD değeri 2 olmalı. (Ram rankı ve ram configi Örn : 2x8sr, 4x8sr)
tRDRDSC = 1
tRDRDSD = Minimum 3/4. (bin + çip)
tRDRDSD = Minimum 3/4. (bin + çip)
tWRWRSC = 1
tWRWRDD = Minimum 5/6. (bin + çip)
tWRWRSD = Minimum 5/6 (bin + çip)
Micron E die da ise tCL değerini düşürmek için voltaj arttırabilirsiniz.Alt zamanlamalar tamamiye bine bağlı oldugu icin 3800 mhz cl 14te
1.43 voltaj bile yetebilir.
3733 Micron REV.E örneği (C9BLM) Çipi A2 LAYER,
Yanlış yazdığım şeyler varsa düzeltirseniz sevinirim. İyi forumlar.
ALTTAKI DEĞERLER VOLTAJ İLE SCALE OLABİLEN DEĞERLERDİR. PARANTEZ İÇİNDE YAZDIKLARIM ZAMANLALARIN NEYE BAĞLI OLDUKLARI.
tCL
tRC
tRFC
tRCDRD
Voltaj ile scale olabilir
İdeal Samsung-B die çipine sahip ram zamanlamaları
3800CL
tCL 14
tRC 40
tRFC 220-260 arası
tRCDRD 14
tRCDWR = 8 olabiliyor bazı çiplerde ama bu voltaj ile scalelenmiyor tamamiyle bin ile alakalı.
Alt Degerlere gelirsek
tRP = CL neyse o değeri verin
tRAS = stabilite için tCL değeri x 2( ama daha fazla düşürebilenlerde var )
tRC = tRP + tRAS (tRC değeri voltaj ile scalendiği için daha fazla da düşürebilir ama çipten çipe değişir.)
tRDDS = Minimum 4 olabilir (bin + çip)
tRDDL = Minimum 4 olabilir (bin + çip)
tFAW = Minimum 16 olabilir (bin + çip) 4x tRDDL formülüyle
tWTRS = 3 iyi bi değer sayılabilir (bin + çip)
tWTRL = 6 iyi bir değer sayılabilir (bin + çip)
tWR = 12 en iyi değer ama stabilite sorunları yaşıyorsanız 16 yapın. (bin + çip)
tRDRDSCL = 4(bin + çip)
tWRWRSCL = 4(bin + çip)
tCWL = tCL değerinin -1 ya da -2 altı en iyi değer ama -2 cok zor o yüdzen genelde tCL ye eşit ya da tCL nin bi eksiği yapabilirsiniz. (bin + çip)
tRTP = 6 veya 8 en iyi değer sayılabilir (bin + çip)
tRDWR = 6 veya 8 en iyi değer sayılabilir (bin + çip)
tWRRD = 2x8 single rank ram kullanıyorsanız tWRRD değeri 1 olmalı. 4x8 single rank ram kullanıyorsanız tWRRD değeri 2 olmalı. (Ram rankı ve ram configi Örn : 2x8sr, 4x8sr)
tRDRDSC = 1
tRDRDSD = B die da bu değerlerin hepsini 1 e çekende var 4 yapanda var. (bin + çip)
tRDRDSD = B die da bu değerlerin hepsini 1 e çekende var 4 yapanda var. (bin + çip)
tWRWRSC = 1
tWRWRDD = B die da bu değerlerin hepsini 1 e çekende var 4 yapanda var. (bin + çip)
tWRWRSD = B die da bu değerlerin hepsini 1 e çekende var 4 yapanda var. (bin + çip)
B- Die ramlerde voltaj çok önemli 3800cl14 ve alt zamanlamalarını tamamiyle yapmak istiyorsanız en az 1.5 ve üstü bi voltaj vermenız gerekiyor.
B-Die örneği
MICRON REV.E DIE ÖRNEKLERİ
İdeal MICRON REV.E çipine sahip ram zamanlamaları
3800CL
Ne yazik ki sadece tCL ve frekans voltaj ile scale olabilir
tCL 14
tRDWR 8
tRP 12
tRAS 21
tRC 54
tRFC 545-565 arası
tRCDRD 18
Ballistix’de sadece 3600 CL 16 olan kit 3800’de 18 tRCDRD yapabiliyor. 3000 ve 3200 kitler 3800’de 19 veya 20 oluyor.
tRP = CL den daha düşük değer verebilirsiniz. Tamamen çip ve binle alakalı deneme yanılma yöntemi.
tRAS = normal kural CL değeri x 2 Ama micron Rev.E die da bu tamamiyle yalan. O yüzden düşürebilirsiniz değeri.tCL 14 ise tRAS 21 olabilir.Ya da 23.
tRC = Normal kuralı tRP + tRAS (Ama Rev E de tRC değeri voltaj ile scale olmadığı için 3800 de minimum 54 yapılabilir.)
tRDDS = Minimum 4 olabilir (bin + çip)
tRDDL = Minimum 4 olabilir (bin + çip)
tFAW = Minimum 16 olabilir (bin + çip) 4x tRDDL formülüyle
tWTRS = 3 iyi bi değer sayılabilir (bin + çip)
tWTRL = 6 iyi bir değer sayılabilir (bin + çip)
tWR = 12 en iyi değer ama stabilite sorunları yaşıyorsanız 16 yapın. (bin + çip)
tRDRDSCL = 4(bin + çip)
tWRWRSCL = 4(bin + çip)
tCWL = tCL değerinin -1 ya da -2 altı en iyi değer ama -2 cok zor o yüdzen genelde tCL ye eşit ya da tCL nin bi eksiği yapabilirsiniz. (bin + çip)
tRTP = 6 veya 8 en iyi değer sayılabilir (bin + çip)
tRDWR = 6 veya 8 en iyi değer sayılabilir (bin + çip)
tWRRD = 2x8 single rank ram kullanıyorsanız tWRRD değeri 1 olmalı. 4x8 single rank ram kullanıyorsanız tWRRD değeri 2 olmalı. (Ram rankı ve ram configi Örn : 2x8sr, 4x8sr)
tRDRDSC = 1
tRDRDSD = Minimum 3/4. (bin + çip)
tRDRDSD = Minimum 3/4. (bin + çip)
tWRWRSC = 1
tWRWRDD = Minimum 5/6. (bin + çip)
tWRWRSD = Minimum 5/6 (bin + çip)
Micron E die da ise tCL değerini düşürmek için voltaj arttırabilirsiniz.Alt zamanlamalar tamamiye bine bağlı oldugu icin 3800 mhz cl 14te
1.43 voltaj bile yetebilir.
3733 Micron REV.E örneği (C9BLM) Çipi A2 LAYER,
Yanlış yazdığım şeyler varsa düzeltirseniz sevinirim. İyi forumlar.
Ekler
Son düzenleme:
